新聞資訊News
032018-12
碳化硅(SiC)器件生產工藝和技術已經日趨成熟,目前市場推廣最大的障礙是成本。包括研發和生產成本以及應用中碳化硅器件代換IGBT后整個電路中的驅動電容電阻的成本。除非生產商主推,而且的確能降低成本提高性能。.. MORE
032018-12
由于電力電子器件工作狀態有開通、通態、關斷、斷態四種工作狀態,其中斷態、通態分別承受高電壓、大電流,而開通和關斷的過程中,開關器件可能同時承受過壓過流、過大的di/dt、du/dt以及過大的瞬時功率。所以為了防.. MORE
032018-12
第一:降成本的需求。以兩點平為例,直接購買賽米控等廠商的成品模塊固然可提高產品穩定性,但是相應的成本增加不是一般公司能承受的,使用多模塊并聯可明顯降低成本(不明白你們成本怎么還增加了)。一般電流越大的i.. MORE
032018-12
1、驅動電路:由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之間的折衷關系,建議將柵極電壓選為+UG=15V±10%,—UG=5~10V。柵極電阻與IGBT的開通和關斷特性密切相關,RG小時開關損耗減少,開關時間縮短,關斷脈沖電壓增大。應根據.. MORE
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